近日，SK海力士正式宣布将与英伟达深化战略合作，共同推进面向下一代人工智能的专用NAND存储解决方案的研发。此举旨在突破AI运算中长期存在的存储性能瓶颈。这款新产品计划于2026年底提供首批样品，其整体性能相比当前主流产品有望实现近十倍的跃升。

在“2025人工智能半导体未来技术会议（AISFC）”上，SK海力士副社长金千成表示，公司正围绕数据中心与边缘计算场景的差异化需求，积极布局高附加值AI内存产品的研发与创新。

为应对AI数据中心应用，SK海力士正在构建名为“AIN Family”的产品体系，涵盖三种针对不同核心指标优化的NAND技术方案，分别聚焦于性能（AI-NP）、带宽（AI-NB）与容量（AI-ND）的专项提升。

其中，AI-NP作为该系列的核心产品，专为大规模AI推理任务设计。它致力于通过全新的NAND结构与控制器架构，显著缓解计算与存储之间的数据传输延迟问题，从而全面提升系统处理效率与能效表现。

据透露，SK海力士已与英伟达加快AI-NP的技术验证进程，计划于2026年底推出支持PCIe Gen 6接口的原型版本，目标实现高达2500万次每秒输入输出操作（IOPS）。相比之下，当前高端企业级数据中心SSD的IOPS峰值约为300万次，这意味着AI-NP的初始版本性能将达到现有产品的8到10倍。

公司进一步规划，预计在2027年底前推动第二代AI-NP产品进入量产阶段，届时其性能目标为支持1亿次IOPS，整体表现有望超过当前主流企业级固态硬盘的30倍以上。

与此同时，SK海力士也在同步推进AI-NB产品的技术演进。该产品即高频宽闪存（HBF），其设计理念类似于高带宽内存（HBM），但与HBM采用堆叠DRAM的方式不同，HBF通过三维堆叠NAND闪存单元实现超高数据吞吐能力，为特定高性能应用场景提供创新的存储路径。