SK海力士研发AI-NAND闪存，2026年推高性能存储新品
12月11日，科技领域传来新进展，SK海力士正积极推进下一代AI存储技术的研发进程。最新消息显示，该公司已与全球领先的AI芯片企业展开深度合作，共同开发名为“AI-NAND”的创新存储解决方案，旨在突破当前AI计算中存储性能的瓶颈。
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在近日举行的2025人工智能半导体未来技术会议上，SK海力士副社长金哲成透露，双方正联合推进代号为“AI-N+P”的高性能AI NAND项目。作为其“AIN Family”产品体系的重要组成部分，该技术通过重新设计NAND闪存与控制器之间的架构，致力于解决AI运算过程中数据传输效率不足的问题，以满足大模型推理场景对高吞吐量的严苛要求。
据悉，SK海力士计划于2026年年底推出基于PCIe Gen 6接口的首批样品，新产品预计可实现高达2500万IOPS（每秒输入输出操作次数）的性能表现。相比目前数据中心主流的300万IOPS左右的高性能企业级固态硬盘上限，这一数字意味着性能提升可达8至10倍。
公司同时确认，第二代产品的研发工作已经启动，目标在2027年年底前将IOPS提升至1亿，较现有水平提高超过30倍，进一步巩固其在高端存储领域的技术优势。
为全面应对AI数据中心和终端侧AI应用的多样化需求，SK海力士正在构建覆盖性能、带宽与容量三大方向的产品布局。其中，“AI-N+P”聚焦极致性能，“AI-N+B”主攻高带宽，“AI-N+D”则面向大容量存储需求。目前，AI-N+P已进入与合作伙伴联合进行概念验证（PoC）阶段，重点优化大规模数据读写时的能效比和响应速度，力求降低系统延迟，确保GPU算力得以充分发挥。
在高带宽技术路径方面，SK海力士亦取得实质性进展。相关负责人介绍，公司正与闪存技术企业协作推进“AI-N+B”的标准化建设。该技术业内称为HBF（高带宽闪存），借鉴了HBM（高带宽内存）的堆叠思路，通过三维集成NAND芯片显著提升数据传输速率。初步版本预计于2026年1月底发布，正式样品将于2027年提供给客户进行评估，有望为AI存储架构带来全新的演进方向。
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