三星DRAM产能转进1b纳米制程，加速提升获利能力
2025年12月3日，三星正着手调整其DRAM生产布局，计划将原本用于制造HBM3E内存的1a纳米制程在通用DRAM领域的产能削减30%至40%。公司准备通过产线转换，将资源转向1b纳米制程，以扩大DDR5、LPDDR5x等主流内存产品的生产能力，从而改善整体收益水平。
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近期受人工智能应用快速扩张影响，高带宽内存产品对晶圆产能形成挤压，而短期内整体产能增长受限，导致DDR5、LPDDR5x及GDDR7等常规内存价格显著上涨。在此背景下，采用1b纳米制程生产的标准内存产品展现出更强的盈利能力，已超越以1a纳米制程为主的HBM相关产线。
尽管三星已成功进入NVIDIA的HBM3E供应体系，但其出货规模相对有限，且HBM3E产品的平均销售价格较主要竞争对手低约三成，进一步削弱了该业务的利润贡献。综合考量市场供需与成本效益，业内分析认为，若三星将1a纳米制程部分产能连同1z纳米等更成熟节点的产线一并转移至1b纳米，有望每月额外增加约8万片晶圆的投片能力。此举预计将显著增强公司的产能弹性与整体盈利表现。
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