三星为优化HBM3E产能扩增1b nm制程，提升盈利
12月3日消息，据媒体报道，三星正着手调整其DRAM制造策略，计划将原本用于生产HBM3E内存的1a nm制程转向通用DRAM领域，同时将该制程的产能削减30%至40%。
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调整过后，三星将进一步通过制程转换，扩大适用于标准内存产品（如DDR5、LPDDR5x）的1b nm制程产能，从而推动整体盈利能力的最大化。
当前，随着AI需求爆发，HBM产能吃紧，短期内扩产幅度有限，而DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用内存产品的价格近期却快速上涨。
对三星而言，目前1b nm制程在盈利能力上，实际上已经超越了传统上因HBM价格较高而更具利润优势的1a nm制程。
尽管三星最终成功成为NVIDIA的HBM3E供应商，但其供货规模相对有限，加之三星HBM3E的平均售价比竞争对手SK海力士低约三成，进一步影响了该制程的利润贡献。
基于上述因素，市场分析指出，若三星将1a nm制程30%至40%的产能，以及1z nm等更成熟制程的部分产能切换至1b nm，则1b nm制程的月投片量有望额外增加8万片晶圆，这将为三星的整体盈利带来显著提升。
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