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三星为优化HBM3E产能扩增1b nm制程,提升盈利

时间:2025-12-03 17:41
12月3日消息,据媒体报道称,三星正在考虑调整其DRAM制造策略,计划将原用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%至40%。随后,三星将通过制程转换,扩大适用于标准内存产品(

12月3日消息,据媒体报道,三星正着手调整其DRAM制造策略,计划将原本用于生产HBM3E内存的1a nm制程转向通用DRAM领域,同时将该制程的产能削减30%至40%。

调整过后,三星将进一步通过制程转换,扩大适用于标准内存产品(如DDR5、LPDDR5x)的1b nm制程产能,从而推动整体盈利能力的最大化。

当前,随着AI需求爆发,HBM产能吃紧,短期内扩产幅度有限,而DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用内存产品的价格近期却快速上涨。

对三星而言,目前1b nm制程在盈利能力上,实际上已经超越了传统上因HBM价格较高而更具利润优势的1a nm制程。

尽管三星最终成功成为NVIDIA的HBM3E供应商,但其供货规模相对有限,加之三星HBM3E的平均售价比竞争对手SK海力士低约三成,进一步影响了该制程的利润贡献。

基于上述因素,市场分析指出,若三星将1a nm制程30%至40%的产能,以及1z nm等更成熟制程的部分产能切换至1b nm,则1b nm制程的月投片量有望额外增加8万片晶圆,这将为三星的整体盈利带来显著提升。

为了赚钱最大化!三星计划缩减HBM3E产能:扩大1b nm制程

来源:https://m.mydrivers.com/newsview/1090315.html
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