2025年12月2日，韩国媒体披露，三星电子正在评估调整其高带宽内存产能布局的可行性，计划削减HBM3E内存的生产规模，转而扩大通用型DRAM产品的制造，以优化整体收益结构。具体方案包括将其原本用于HBM3E生产的1a纳米制程产能下调30%至40%，并将相应资源转移至基于1b纳米制程的通用内存产品线。

这一战略调整主要源于市场供需格局的变化以及不同产品线盈利能力重新排序的需要。尽管三星已进入英伟达HBM3E供应链，但供应量较小，且其HBM3E产品的平均售价据称较主要竞争对手低出约三成。与此同时，受人工智能应用推动，市场需求持续攀升，加之HBM产能扩张受限，DDR5与LPDDR5x等通用内存品类的价格近期呈现上行趋势。在此背景下，采用1b纳米工艺生产的通用内存单位利润已超过基于1a纳米工艺的高带宽内存产品，后者虽单价较高，但受限于客户集中度和议价能力，实际盈利表现不及预期。

有业内知情人士透露，若该产能调整计划得以实施，通过将部分1a纳米及更早工艺节点的产能整合升级至1b纳米平台，三星每月有望新增约8万片晶圆的1b纳米制程产能。目前，三星的HBM3与HBM3E产品均采用1a纳米工艺制造，下一代HBM4则规划使用1c纳米工艺，而全部1b纳米工艺产线将专注于通用内存产品的生产，不涉及高性能堆叠内存领域。