三星或将HBM3E产能转向1b纳米工艺以提升盈利
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12月2日，韩国媒体披露，三星电子正考虑调整其内存产能布局，计划将用于生产HBM3E内存的1a纳米DRAM产能削减三到四成。公司意图通过制程转换，把原定用于高性能内存的生产线转向生产通用型内存产品所采用的1b纳米工艺，从而提升整体盈利水平。
目前，三星电子的HBM3与HBM3E产品均基于1a纳米工艺制造，而下一代HBM4则将采用更先进的1c纳米工艺。相比之下，1b纳米工艺的产能目前全部服务于DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用内存产品。受人工智能技术发展带来的高带宽内存需求上升影响，相关产品对晶圆产能形成挤占，加之短期内扩产空间有限，导致通用内存市场价格持续走高。
在此背景下，1b纳米工艺的单位产能盈利能力已超过原本被视为高附加值的1a纳米工艺。尽管三星电子已进入英伟达HBM3E供应链，但其供应份额相对有限，且在该产品的平均售价上较竞争对手SK海力士低约三成。此外，市场预估自2026年起，HBM3E价格还将进一步下调三成，进一步压缩利润空间。
有业内知情人士透露，若三星电子将1a纳米及部分成熟工艺（如1z纳米）的产能顺利转移至1b纳米节点，其每月可额外增加约8万片晶圆的1b纳米产品投片量，从而强化在主流内存市场的供应能力与收益表现。
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