三星电子拟扩产HBM3E，以1b nm DRAM提升利润空间
12月2日消息，韩媒DealSite日前报道称，三星电子正考虑将其用于HBM3E内存供应的1a纳米DRAM产能削减30%-40%，通过制程转换来提升适用于通用内存产品的1b纳米产能，以实现利润最大化。
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值得注意的是，三星电子的HBM3和HBM3E内存均基于1a纳米DRAM技术，而HBM4则将采用1c纳米工艺，1b纳米工艺的产能则完全由通用内存产品占据。
由于AI需求激增、HBM产能挤压以及短期扩产幅度有限等因素，DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品近期价格经历了一轮快速上涨。对三星电子而言，其1b纳米产能的盈利能力反而超出了传统观点中受益于HBM高价的1a纳米工艺。
尽管三星电子最终仍成为英伟达的HBM3E供应商，但其供货规模相对有限。此外，三星HBM3E的平均售价本身就比SK海力士低约三成，而2026年起HBM3E价格还将下降30%。
消息人士指出，若三星将1a纳米30%-40%的产能及1z纳米等更成熟工艺的产能切换至1b纳米，则1b纳米投片量有望额外扩充每月8万片晶圆。
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