美光投资1.5万亿日元新建HBM工厂，加速高端内存布局
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美光科技计划投入约1.5万亿日元，在其位于日本广岛的现有厂区新建一座专门用于生产人工智能高带宽内存芯片的工厂。该项目预计将于2026年5月启动建设，首批产品计划于2028年开始交付。这一布局旨在优化全球生产基地结构，降低先进芯片制造对特定地区的依赖。
为支持本土半导体产业复苏，日本相关部门将为该项目提供最高达5000亿日元的财政补贴，希望通过政策激励吸引更多国际领先半导体企业赴日投资建厂。此次扩产是美光自2019年以来首次新建HBM生产基地，反映出其积极应对人工智能与数据中心领域迅猛发展带来的存储需求增长的战略举措。
目前，美光的高带宽内存产能主要集中在美光科技的主要生产基地位于美国和台湾地区。此次在日本增设产能，不仅有助于提升供应链的稳定性和灵活性，也将强化其在高存储市场中与主要竞争对手的技术与规模比拼能力。
今年5月，美光已在广岛工厂引进极紫外线光刻设备，完成关键工艺环节的技术准备，为后续量产下一代HBM4内存产品奠定基础。此举标志着其在日本的技术投入进入新阶段，进一步推动高端存储芯片的本地化制造进程。
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