美光科技计划于2026年5月正式启动其在日本广岛县东广岛市DRAM生产设施的扩建工程，目标是在2028年前实现HBM高性能内存的规模化量产。今年九月，日本经济产业省已宣布将为该项目提供最高5360亿日元（约合人民币243亿元）的财政支持。作为配套投入，美光承诺在该生产基地的产能扩张方面投入1.5万亿日元（约合人民币680亿元）。
虽然美光今年在HBM出货量上曾位居全球第二，但公司的长期战略目标是让HBM产品在其整体DRAM业务中占据显著比例。与此同时，该公司正积极推进在美国本土的制造布局，计划未来二十年内建设六座DRAM晶圆厂，以增强全球供应链的韧性并提升核心技术自主能力。
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