台积电定制HBM4e内存:集成控制器提升AI算力
11月28日消息,据德国媒体Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台分享的图片显示,台积电于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP(开放创新平台)生态系统论坛欧洲站活动中,分享了对首款定制HBM内存的技术展望。
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与美光首席商务官Sumit Sadana的观点不谋而合,台积电同样认为定制HBM将在HBM4E时代正式落地,并将其相关产品命名为C-HBM4E。
图片来源:Andreas Schilling
台积电在HBM4时代将提供两种不同的HBM基础晶圆制程方案:面向主流市场的N12FFC+制程,以及专为追求更高性能设计的N5制程。
而在C-HBM4E架构中,为实现在基础晶圆上集成内存控制器以优化计算芯片面积,台积电将推出基于N3P先进制程的基础晶圆解决方案。官方宣称其能效表现可达HBM3E基础晶圆的2倍左右。同时C-HBM4E的Vdd工作电压将降至0.75V,较HBM4标准实现进一步降低。
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