SK海力士发布六款DDR5与HBM4新品，加速AI与数据中心应用
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2025年在美国圣路易斯举办的超算大会上，SK海力士集中展示了其最新研发的内存与固态硬盘产品，其中大容量DDR5及HBM4内存的技术突破尤为引人注目。面对数据中心特别是人工智能应用场景的快速增长，该公司推出了多规格DDR5内存解决方案，现场呈现了六款不同封装形态的创新产品。
首款亮相的64GB DDR5 RDIMM虽然外观与常规模组相似，但首次采用了1cnm制程技术。作为1anm与1bnm工艺的升级版本，其具备了更高的集成度。该模组基于单颗16Gb（约合2GB）芯片构建，单条容量达64GB，数据传输速率最高可达8000Mbps。
第二款同样采用DDR5 RDIMM规格，选用了稍早的1bnm工艺。在性能表现上虽略有取舍，但成功实现了96GB的单条容量。其所搭载的24Gb芯片在维持8000Mbps最高速率的同时，更注重成本控制与能耗优化，适用于预算敏感的应用环境。
第三款DDR5 MRDIMM创新引入多路复用技术以提升信号效率，并采用先进的1cnm工艺制造。该模组单条容量为64GB，使用16Gb核心芯片，最高速率提升至12800Mbps，可满足高性能计算场景对带宽的严苛需求。
第四款同属DDR5 MRDIMM系列，但回归1bnm工艺以降低生产成本。其配备24Gb单颗芯片，实现96GB单条容量，速率仍支持最高12800Mbps，实现了性能与经济性的平衡。
第五款3DS DDR5 RDIMM采用1bnm工艺并应用2-Hi堆叠封装技术。通过单颗32Gb（约合4GB）芯片的独特设计，达成了单条256GB的超高容量，运行速率为8000Mbps。该模组专为AI工作负载优化设计，具有更高的能效表现，适合高密度部署需求。
最终亮相的DDR5 Tall MRDIMM在外形尺寸上明显高于传统内存条，从而可在同一模组上集成更多芯片。基于1bnm工艺，搭载32Gb单颗芯片，实现256GB单条容量，最高速率可达12800Mbps，特别适配2U架构的高性能机架式服务器平台。
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