11月28日，社交媒体平台发布信息称，台积电于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年开放创新平台生态系统论坛欧洲活动中，分享了公司对首代定制化HBM内存产品的技术发展规划。相关行业人士通过图片形式透露了活动中的具体细节。
台积电在会上表示，定制化HBM技术预计将在HBM4E时代实现规模化量产，并将对应产品命名为C-HBM4E。这一看法与业内其他主要厂商的观点基本一致。在HBM4阶段，台积电曾向市场提供两种不同制程的基础裸片方案，分别针对主流应用的N12FFC+工艺和满足高性能需求的N5工艺。
进入C-HBM4E阶段后，为实现更高集成度并满足计算芯片对面积优化的需求，台积电将采用N3P先进制程作为基础裸片解决方案。该技术支持将内存控制器直接集成至基础裸片中，据公司透露，此举可使能效水平达到当前HBM3E基础裸片的约两倍。同时，C-HBM4E的工作电压将进一步下探至0.75V，较HBM4版本实现进一步降低，有助于提升整个系统的功耗表现。
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