11月27日，三星电子旗下SAIT（原三星先进技术研究院）宣布，其关于新型NAND闪存结构的研究成果已正式发表于国际顶级期刊《自然》。
据题为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管的论文介绍，该研究通过创新性融合铁电材料与氧化物半导体，首次在全球范围内明确了可将NAND闪存功耗较现有技术降低96%的核心机制。
值得关注的是，这项突破性研究有望显著提升包括人工智能数据中心、移动设备在内的多个领域的能效表现。
NAND闪存作为非易失性存储介质，其特点是断电后仍能长期保存海量数据。其工作原理是通过向存储单元注入电子来实现数据写入。
为提升存储密度，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构架芯片，但这同时也导致数据读写过程中的能耗显著增加。特别是在大规模数据中心应用场景中，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。
三星研究团队的这项重要突破，成功攻克了这一技术难题。
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