长鑫存储首发DDR5/LPDDR5X新品，加速赶超国际先进水平
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2025年11月25日，长鑫存储在近日举办的中国国际半导体博览会上正式推出其最新研发的DDR5与LPDDR5X存储产品，此举标志着公司在高端内存领域正式向国际领先厂商发起挑战。
据企业技术负责人介绍，此次发布的DDR5系列产品最高运行速度可达8000Mbps，单颗芯片最大容量突破24Gb，两项核心指标均达到全球行业顶尖水准。与此同时，公司还配套推出了覆盖服务器、工作站及个人计算机等应用场景的七款模组产品，实现了从云端到终端的全领域布局。
在移动存储领域，长鑫同步展示了此前已发布的LPDDR5X系列产品。该系列专为高端移动设备设计，支持高达10667Mbps的数据传输速率，单颗容量最高达16Gb，并提供包含12GB、16GB、24GB和32GB在内的多种封装组合方案，全面满足不同终端设备对高带宽与大容量的需求。
虽然此前市场已零星出现由中国企业生产的DDR5内存产品，但此次长鑫存储以完整产品矩阵公开亮相，更具里程碑意义。
行业分析报告指出，长鑫存储此次展示的技术成果具有重要参考价值。其DDR5产品速度较上一代提升25%，技术进展已基本与韩国主要厂商保持同步。业内专家评估认为，该性能水平足以匹配当前最先进的中央处理器，在高性能计算和数据中心等关键场景中展现出显著的应用潜力。
市场调研数据显示，2025年第三季度，长鑫存储在全球DRAM市场份额已达8%，位列行业第四。而在NAND闪存领域，长江存储同期市场份额达到13%。
尽管外部环境限制导致部分高端制造设备获取受限，影响了国内产业扩张节奏，但在通用型DRAM技术层面，中国与韩国之间的技术差距已缩短至一年以内。
展望未来，随着存储技术逐步迈向三维堆叠架构，产业格局或将面临重构。3D DRAM技术通过垂直堆叠存储单元，有望降低对极紫外光刻设备的依赖。这一技术路径的转变，可能为中国企业在下一代存储竞争中创造新的突破契机。
有学术专家指出，从现有技术水平来看，中韩两国在存储器领域的技术代差已近乎消失。预计在未来五年内，当3D DRAM进入规模化发展阶段时，中国的产业竞争力将得到进一步强化。
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