中科飞测GINKGOIFM-P300晶圆平坦化设备交付HBM客户，国产高端测量实现突破
半导体设备领域近日迎来重要突破——中科飞测自主研发的首台晶圆平坦度测量设备GINKGOIFM-P300，已正式交付HBM领域客户。这项成果标志着我国在高端半导体量测设备领域实现关键技术突破，成功打破了国外厂商长期垄断的市场格局。
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作为先进半导体制造工艺中的核心控制设备，晶圆平坦度测量设备承担着对有图形/无图形晶圆几何参数与纳米形貌的高精度检测任务。中科飞测推出的GINKGOIFM-P300专为图案化与非图案化晶圆设计，可全面适配96层以上3D NAND、1X纳米级逻辑芯片、DRAM及HBM等先进制程需求。该设备以成熟的量测平台为基础，通过集成创新硬件技术与智能算法，为集成电路制造商提供从研发到量产的全流程质量监控解决方案。
在技术攻关层面，研发团队历时多年实现大直径晶圆平整度测量的系统性突破。通过自主研发300mm晶圆专用双斐索干涉仪，成功实现高精度、低像差的干涉成像，配合低噪声照明系统，可稳定获取高清晰度干涉条纹图像。设备覆盖翘曲、弓形、纳米形貌、面内位移、局部曲率等20余项关键指标，同时具备晶圆厚度变化与边缘滚降（ERO）特征的同步捕捉能力。
在核心性能方面，GINKGOIFM-P300采用先进干涉仪光学系统，将翘曲测量范围扩展至行业领先水平。其自主研发的拼接算法展现出高鲁棒性、强抗噪性和环境适应性，使设备产能达到国际顶尖标准。独特的晶圆夹持设计支持正反面同步检测，有效消除重力因素对测量精度的干扰，特别适用于超高翘曲晶圆与低反射率材料的检测需求。
该设备的突破性意义在于填补了国内技术空白，不仅解除对进口设备的依赖，更拓展了应用边界。除传统硅基晶圆外，GINKGOIFM-P300已实现对键合后晶圆、碳化硅（SiC）及砷化镓（GaAs）等化合物半导体衬底的全参数检测能力，为第三代半导体产业发展提供关键支撑。
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