11月19日，据相关媒体报道，三星正在加速提升其1cnm制程DRAM的产能，以期抢占未来HBM4市场先机。根据规划，该公司计划于2026年第二季度实现月产14万片晶圆的目标，并在同年第四季度进一步提升至每月20万片晶圆。这些举措对应不同阶段的设备配置，旨在实现每个阶段的量产准备。
目前，三星DRAM的总产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着最新的1cnm制程DRAM产能将在短期内达到总产能的30%左右，其增产速度已明显超过2024年半导体热潮期间月增13万片晶圆的扩张规模。
为实现这一目标，三星一方面通过对现有DRAM生产线进行技术改造以实现平稳过渡，另一方面则依托位于平泽的P4工厂进行新增投资。
这一积极扩产举措，反映出三星对1cnm DRAM技术与市场前景的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求下，近期DRAM市场已出现供不应求的局面。
面对同样机遇，竞争对手SK海力士也计划于2025年内启动1cnm DRAM的量产，并预计在2026年全面投产。到2026年底，其韩国国内通用DRAM产量中将有超过一半采用1nm制程，并形成包含LPDDR与GDDR在内的完整产品矩阵。
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