11月19日业内传来消息，三星正加速提升1cnm DRAM的产能布局，以抢占HBM4市场的战略先机。按照规划，公司预计将在2026年第二季度把月产能提升至14万片晶圆，随后在第四季度进一步扩大至每月20万片晶圆。这些时间节点对应设备配置的关键阶段，目标是在每个阶段实现批量生产的充分准备。

目前，三星的DRAM总产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着最新的1cnm DRAM产线将在短期内达到总产能的三成左右，其增产速度已大幅超过2024年半导体热潮期间每月增产13万片晶圆的扩张规模。

为实现这一产能目标，三星正采取双轨策略：一方面通过对现有DRAM产线进行技术改造实现平稳过渡，另一方面依托位于平泽的P4工厂进行新增产能投资。

这一积极的产能扩张举措，反映出三星对1cnm DRAM技术前景与市场需求的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求背景下，近期DRAM市场已出现供不应求的局面。

面对同样的市场机遇，竞争对手SK海力士也计划在2025年内启动1cnm DRAM的量产，并于2026年全面投产。预计到2026年底，其韩国国内通用DRAM产量中将有超过半数采用1cnm工艺，并形成包括LPDDR与GDDR在内的完整1cnm产品矩阵。