功率半导体领域近期迎来多项技术突破，英飞凌、GE Aerospace与SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术方面取得重要进展，为电动汽车、可再生能源以及工业电力等行业注入新动能。

SemiQ Inc最新推出五款采用SOT-227封装的高性能碳化硅模块，其导通电阻分别达到7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。这些创新模块集成了肖特基势垒二极管（SBD），在高温环境下的开关损耗显著优于传统非SBD模块。该系列产品主要面向中高压功率转换应用场景，涵盖电池充电器、光伏逆变器、服务器电源及储能系统。所有模块均通过晶圆级栅极氧化层烧入测试，电压耐受值超过1400伏，并圆满完成800mJ雪崩测试（34mΩ模块为330mJ）。值得一提的是，7.4mΩ型号GCMX007C120S1-E1模块实现了4.66mJ的低开关损耗（导通3.72mJ/关断0.94mJ）与593nC体二极管反向恢复电荷，其结壳热阻范围保持在0.23°C/W至0.70°C/W。作为美国碳化硅功率半导体专业企业，SemiQ Inc始终专注于高压应用解决方案，产品线全面覆盖分立器件、模块及裸芯片格式的MOSFET与二极管。