根据集邦咨询11月14日发布的行业报告，该机构调研数据显示，存储产业在2026年的资本支出整体仍显保守。这意味着明年DRAM与NAND的比特（容量）产出提升将受限于投资力度，供不应求的市场格局不会出现根本性转变。
特别是在DRAM内存领域，虽然三星电子和SK海力士仍存在小幅扩产的空间，但美光若想扩大产能，必须等待其美国爱达荷州博伊西ID1新晶圆厂建成投产。而在NAND领域，铠侠-闪迪联盟与美光将继续加大投资力度，但三星电子和SK集团则可能保持按兵不动的策略。
该机构预测，2026年DRAM产业资本支出有望同比增长14%，达到613亿美元（注：现行汇率约合4352.55亿元人民币）；NAND产业资本支出则可能在明年增长5%，达到222亿美元（现行汇率约合1576.29亿元人民币）。
总体而言，存储原厂的投资重心正在发生转变——从单纯扩充产能逐步转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合等先进工艺，并聚焦于HBM等高附加值产品的研发与生产。
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