2026年存储业资本支出谨慎增长，技术转型加速产能扩张
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11月14日公布的产业调研数据显示，存储行业在2026年的整体资本开支预计仍将保持审慎态度。这意味着明年DRAM与NAND的比特容量增长空间将受到制约，市场供应紧张的局面难以得到根本性扭转。
在DRAM领域，虽然三星电子和SK海力士仍存在小幅扩产的可能，但美光科技的产能扩充需待其位于美国爱达荷州博伊西的ID1新晶圆厂建成投产后才能推进。而在NAND方面，铠侠与闪迪、美光计划加大投资力度，但三星电子和SK集团则选择保持现有投资节奏，暂时未制定大规模扩产计划。
据预测，2026年DRAM产业的资本支出将实现约14%的同比增长，达到613亿美元；NAND产业则有望实现5%的增幅，总投资额约为222亿美元。
总体来看，主要存储厂商的战略重心正逐步从单纯扩大产能转向更深层次的技术突破，包括制程优化、高层数堆叠以及混合键合技术的研发，同时更加专注于HBM等具备更高附加值产品的战略布局。
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