DRAM芯片价格飙升：内存涨幅超预期，模块报价已滞后
11月12日最新数据显示，集邦咨询TrendForce发布报告指出，DRAM与NAND市场正展现出强劲的涨价动力。其中DRAM芯片报价已超过模组价格，预示着模组价格短期内将出现显著拉升。
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内存方面，因供应商惜售情绪蔓延，DDR4和DDR5现货价格持续攀升。但由于当前市场流通货源有限，实际成交量仍然处于偏低水平。
值得注意的是，DRAM芯片报价不仅超越了同容量模组的价格，且价差不断扩大。TrendForce分析认为，这意味着现货市场的模组价格将在短期内快速上涨，以缩小与芯片价格之间的差距。
本周主流芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）平均现货价格较上周的11.071美元上涨7.10%，达到11.857美元。
NAND Flash现货市场则受到合约市场强劲拉动的带动，市场情绪进一步升温，报价上涨幅度和频率明显增加。
由于供货紧张，部分中小型买家无法从供应商处获得充足货源，开始转向现货市场采购。现货贸易商也因货源稀缺而延迟出货、持货惜售，导致交易受限，但价格仍保持上涨态势。
本周512Gb TLC晶圆的现货价格飙升17.07%，达到6.455美元。TrendForce预计，短期内现货市场供应将持续紧张，涨价动能有望延续至下一季度。
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