11月11日，格罗方德宣布与台积电签署技术许可协议，正式获得650V与80V氮化镓（GaN）半导体技术的授权。该协议于美国纽约州当地时间10日正式对外公布。

格罗方德将依托其位于佛蒙特州伯灵顿的制造基地，对获授权的氮化镓技术进行验证与整合。该生产基地在高压硅基氮化镓领域具备深厚的技术积淀，此次引入新技术旨在加速面向下一代功率器件客户的量产进程。

相关技术开发预计将于2026年初启动，大规模生产计划将于同年晚些时候展开。

公司电源业务高级副总裁Téa Williams表示，此次合作进一步彰显了企业对技术创新及差异化技术路线的持续投入。通过引进经过验证的氮化镓技术，公司将加快下一代氮化镓芯片的研发进度，为数据中心、汽车电子以及工业制造等关键应用场景提供更具针对性的电源解决方案，弥补当前高效能功率器件的市场供需缺口。