11月4日，在韩国首尔举行的SK AI峰会上，存储巨头SK海力士公布了未来技术发展路线图，凭借其全球三大原厂之一的行业地位，这番规划自然颇具分量。
根据规划，存储技术的下一个重要节点将在2030年前后，具体来看是2029至2031年之间，届时各项技术标准都将迎来全面升级。
在传统内存领域，DDR6内存和GDDR8显存技术已在酝酿之中。其中DDR6进展更为迅速，三大厂商均已完成原型设计，目前正处于验证测试阶段。预计起步频率将高达8800MT/s，而巅峰数值甚至可能冲击17000MT/s。
相较之下，GDDR8的实现还为时过早，路线图上甚至只标注着“GDDR7-NEXT”的字样，不排除后续会以GDDR7X等过渡名称亮相。
事实上，目前GDDR7显存仅应用在NVIDIA RTX 50系列显卡上，AMD方面甚至还未开始采用这项技术。
移动版的LPDDR6规范刚刚发布不久，接下来自然就轮到LPDDR7登场，不过路线图中并未明确列出这一代产品。
当然，在AI浪潮的强力推动下，HBM高带宽内存才是重中之重。很快我们就能看到HBM4、HBM4E相继问世，NVIDIA和AMD的加速卡产品都将陆续配备。再往后便是HBM5与HBM5E，同样规划在2030年前后面世。
存储方面，PCIe 5.0标准正在持续普及，即将实现单盘245TB甚至更大容量（当然采用QLC颗粒）。UFS 5.0标准刚刚制定完成，紧接着就会迎来PCIe 6.0的革新。未来我们还将看到PCIe 7.0、UFS 6.0等新一代规范，以及超过400层的堆叠闪存技术。
