11月4日，SK集团年度人工智能峰会在韩国首尔拉开帷幕。在当天的主旨演讲环节，SK海力士社长郭鲁正正式公布了公司未来存储技术的发展蓝图。

根据2026至2028年的近期规划，公司将推出16层堆叠的HBM4内存产品，并计划从HBM4E世代开始提供定制化HBM解决方案。在通用DRAM领域，将陆续推出LPDDR5R以及支持标准模式与集成计算功能的LPDDR6产品。NAND闪存方面，将实现PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘的量产，同时推出采用UFS 6.0标准的存储技术。

面向2029至2031年的中期发展，SK海力士计划全面迈入HBM5及HBM5E技术时代。通用DRAM领域，下一代GDDR、DDR6以及采用全新晶体管制程的3D DRAM将相继面世。NAND技术则将实现进一步突破，推出堆叠层数超过400层的NAND闪存，同时推进PCIe Gen7固态硬盘和UFS 6.0技术的应用落地。

SK海力士在规划中指出，未来定制化HBM的关键演进方向之一，是将协议控制器等核心组件从主处理器芯片迁移至HBM基础晶圆内部。这一技术路径既能为主芯片的计算单元释放更多空间，又可有效降低数据传输过程中的能源损耗。

针对人工智能时代对内存提出的新需求，SK海力士明确了三大技术发展方向：聚焦低功耗与高性能的AI-D+O方案，通过集成计算能力突破内存瓶颈的AI-D+B技术，以及拓展多元应用场景的AI-D+E架构。