11月4日韩国SK AI峰会上，海力士公布了未来存储技术路线图，作为三大原厂之一，其行业话语权不言而喻。

根据规划，存储技术的下一个重大突破预计在2030年前后，确切地说是2029-2031年间，届时各项技术标准都将迎来全面升级。

在传统内存领域，DDR6内存与GDDR8显存均已进入研发阶段。其中DDR6进展更快，三大厂商已完成原型设计，正在验证测试环节。预计起步频率将达8800MT/s，最高有望突破17600MT/s。

GDDR8技术尚处于早期阶段，路线图上仅标注为"GDDR7-NEXT"，不排除后续会命名为GDDR7X等变体版本。

值得注意的是，目前仅英伟达RTX 50系列显卡采用了GDDR7显存，AMD旗下产品尚未搭载这一技术。

移动版LPDDR6标准刚刚发布，下一代LPDDR7自然备受期待，但具体时间节点尚未明确。

在AI浪潮的推动下，HBM技术已成为重中之重。接下来我们将陆续看到HBM4、HBM4E等版本，英伟达和AMD的加速卡都会陆续搭载。再往后则是规划在2030年前后问世的HBM5与HBM5E。

存储方面，PCIe 5.0标准正在持续普及，很快将实现单盘245TB乃至更大容量（当然采用QLC颗粒）。刚完成制定的UFS 5.0规范之后，接下来将迎来PCIe 6.0时代。未来我们还将看到PCIe 7.0、UFS 6.0以及400层以上堆叠的闪存技术。