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黄仁勋发布英伟达Vera Rubin芯片:性能提升3倍,首发HBM4显存

黄仁勋发布英伟达Vera Rubin芯片:性能提升3倍,首发HBM4显存

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2025-10-29

10月29日,在今日举行的GTC October 2025大会上,英伟达CEO黄仁勋首次公开展示了其下一代Vera Rubin超级芯片(Superchip)。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

该主板整合了一颗Vera CPU与两颗巨大的Rubin GPU,并配备了多达32个LPDDR内存插槽,同时GPU上还将采用HBM4高带宽显存。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

黄仁勋表示,Rubin GPU已经回到实验室进行测试,这是由台积电代工生产的首批样品。每颗GPU拥有8个HBM4接口及两颗与光罩大小相同的GPU核心芯片(Reticle-sized dies)。此外,Vera CPU搭载88个定制Arm架构核心,最高可支持176线程。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

按照英伟达的规划,Rubin GPU有望在2026年第三或第四季度进入量产阶段,时间大致与现有的Blackwell Ultra“GB300”Superchip平台全面量产相当或更早。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

英伟达的Vera Rubin NVL144平台将采用两颗新芯片组合,其中Rubin GPU由两颗Reticle尺寸的核心组成,具备50 PFLOPS(FP4精度)的算力,并配备288 GB HBM4显存。配套的Vera CPU提供88个定制Arm核心、176线程,NVLINK-C2C互联带宽可达1.8 TB/s。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

性能方面,Vera Rubin NVL144平台可实现3.6 Exaflops(FP4推理)与1.2 Exaflops(FP8训练)的算力,相比GB300 NVL72提升约3.3倍;系统总显存带宽达13 TB/s,快速存储容量为75 TB,分别比上一代提升60%,并具备双倍NVLINK与CX9通信能力,最高速率分别为260 TB/s与28.8 TB/s。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

英伟达还计划在2027年下半年推出更高端的Rubin Ultra NVL576平台。该系统将NVL规模从144扩展至576,CPU架构保持不变,而GPU将升级为四颗Reticle尺寸核心,性能最高达100 PFLOPS(FP4),并搭载1 TB HBM4e显存(注:分布于16个显存接口)。

英伟达 CEO 黄仁勋发布 Vera Rubin 超级芯片:性能提升超 3 倍,HBM4 显存登场

性能方面,Rubin Ultra NVL576平台可实现15 Exaflops(FP4推理)与5 Exaflops(FP8训练)算力,相比GB300 NVL72提升14倍;其HBM4显存带宽达到4.6 PB/s,快速存储容量达365 TB,分别为上一代的8倍,NVLINK与CX9通信能力则提升至12倍与8倍,最高速率分别达到1.5 PB/s与115.2 TB/s。

来源:https://www.ithome.com/0/893/102.htm
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