近期报道显示，三星电子在先进半导体技术领域展现出强劲信心，特别是在2纳米GAA制程推进方面取得显著进展，公司内部对此持高度乐观态度。在由总统府政策首席Kim Yong-beom主持的一场半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给予高度评价，暗示公司正顺利实现其预期的良率与芯片性能目标。

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三星晶圆代工业务近年来一直被台积电大幅领先市场份额，但目前情况似乎有所转变。三星已将2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提升至70%，并计划在2025年底实现这一目标。知情人士透露，这一调整反映了三星对2纳米制程技术的高度自信。

Song Jae-hyuk在会议上表达了三星的雄心壮志，希望凭借2纳米GAA节点的成功，最终在全球晶圆代工市场中夺取领先地位。不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人才挑战方面，公司需要政府提供强有力的支持。

三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600。据初步内部测试结果显示，Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通第五代骁龙8至尊版。该芯片预计将搭载于2026年发布的Galaxy S26系列手机中，采用10核CPU架构，包括一个超大核、三个大核和六个小核，并在图形处理方面集成了全新的Eclipse 960 GPU，据称其性能比高通当前旗舰骁龙8 Elite所搭载的Adreno 830 GPU高出约15%。

值得关注的是，三星的第二代2纳米制程SF2P工艺已完成工艺设计套件开发，与第一代相比实现了性能提升12%、功耗降低25%和芯片面积减少8%的三重优化。然而，分析师指出SF2P目前的良率约为40%至50%，仍低于台积电N2工艺的70%以上。

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