中国芯片新突破：改进光刻胶提升7nm以下制程良率
10月26日消息，国内媒体援引最新报道称，我国芯片技术在前沿领域实现关键突破——这次创新聚焦于光刻胶材料的微观机理研究。
北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队联合科研合作方，运用冷冻电子断层扫描技术，首次在原生状态下解析出光刻胶分子在液相环境中的三维构型、界面分布及缠结行为，为开发能够显著降低光刻缺陷的产业化方案提供了理论指导。这项突破性研究成果已于近日发表于权威期刊《自然·通讯》。
如果将光刻胶比作绘制电路的精微墨水，那么它在显影液中的动态行为，将直接影响电路图案的精度与质量，并最终关系到芯片制造的良品率。
长期以来，光刻胶在显影液中的微观运动机制始终如同"黑箱"，产业界只能依靠反复试错进行工艺优化，这已成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的重要瓶颈之一。
研究团队最终成功合成出分辨率优于5纳米的微观三维全景图像，一举突破了传统观测技术难以兼顾原位解析、三维构象与高分辨率的三大技术难关。
彭海琳教授指出，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液态环境中聚合物的结构与动态行为，将有力推动先进制程中光刻、蚀刻及湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。
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