2025年10月23日，美光公司在美国爱达荷州正式宣布，已向客户交付基于最新1γ制程工艺的LPDDR5x DRAM内存产品——192GB SOCAMM2内存模组样品。这款新型模组的数据传输速率可达9600MT/s，容量较初代SOCAMM提升50%，同时DRAM芯片级别的能效优化幅度超过20%。
面向数据中心人工智能系统应用，192GB SOCAMM2在实测中将首令牌响应延迟（TTFT）缩短了80%以上。在Vera Rubin NVL144机架式系统中，通过每系统配置36颗CPU、每颗CPU搭配6根SOCAMM2模组的架构设计，可实现超过40TB的CPU内存总容量。
美光高级副总裁兼云存储业务部门总经理Raj Narasimhan指出，随着人工智能工作负载的持续演进，对算力和能效的要求不断提升，数据中心服务器亟需提升单位功耗下的数据处理能力。美光在低功耗DRAM技术领域的领先优势已得到广泛验证，此次推出的SOCAMM2内存模组兼具高带宽、高能效、大容量与数据中心级可靠性，充分满足新一代人工智能数据中心服务器的核心需求。
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