10月23日消息，集邦咨询TrendForce昨日（10月22日）发布博客文章指出，内存现货市场正在经历一轮快速上涨行情。由于买家为对冲未来价格上涨风险而积极备货，DRAM和NAND闪存现货市场涨价趋势明显，各容量晶圆价格普遍上涨，市场看涨情绪浓厚。

在DRAM现货市场，交易势头持续增强。尽管消费电子产品的终端需求并未显著复苏，但市场普遍预期价格将持续大幅上涨。因此，买家为维持安全库存水平而积极备货，这种避险需求显著提升了DDR4和DDR5产品的成交量。

受此影响，持有库存的模组厂也开始惜售，从而进一步快速推高价格。援引博客介绍，主流DDR4芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上周的7.219美元涨至7.931美元，周环比涨幅高达9.86%。

NAND闪存现货市场的涨势更为猛烈。由于供应商持续上调报价，本周各容量晶圆的平均价格涨幅达到了15%至20%。

供应端目前普遍采取惜售和控货策略，报价大多集中在高位，市场上的低价货源几乎消失。尽管买家积极提高目标价求购，但由于供应有限，实际成交量仍然不高。

具体来看，512Gb和1Tb TLC晶圆的价格上涨最为明显。其中，512Gb TLC晶圆的现货价格本周飙升27.96%，达到4.576美元。当前，市场普遍认为2025年第四季度价格仍有上涨空间。