三星首推3D闪存芯片：晶体管制程突破实现功耗尺寸双优化
自英特尔首次将FinFET晶体管技术引入22纳米工艺节点以来，逻辑芯片制造就正式迈入了三维时代。如今，三星也宣布将在闪存芯片领域首次应用3D晶体管技术。
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鳍式场效晶体管（FinFET）是一种立体结构的晶体管，其设计形似鱼鳍，因而得名。与传统二维平面晶体管相比，这种结构在控制电流泄漏和提升开关性能方面优势显著，英特尔率先在22纳米节点采用该技术，台积电和三星随后在14/16纳米工艺跟进，如今已成为先进制程的基石。
由于存储芯片的结构特性，多年来始终沿用传统二维晶体管架构。在近期举办的SEDEX 2025技术会议上，三星设备解决方案部门技术总监宋在赫发表主题演讲时指出，要实现客户预期的性能与能效目标，必须在单位面积内集成更多晶体管，而3D FinFET正是实现这一突破的核心技术。
三星此番表态意味着将在业界首次把3D晶体管技术引入NAND闪存芯片，此举将显著提升存储密度，同时带来更强劲的性能表现。
采用3D晶体管技术后，三星列举了多重优势：信号传输速度更快，能耗控制更出色，芯片尺寸也得以进一步缩小。
不过三星此次表态仍停留在技术层面，目前尚未确定哪款闪存产品会率先采用3D晶体管技术，商业化进程仍需等待。
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