三星4纳米HBM4良率突破90%，引领芯片产能新优势
10月20日，韩国当地媒体透露，三星电子晶圆代工部门已开始为自家存储器业务生产4纳米工艺的HBM4内存逻辑裸片，目前良品率已突破90%大关。这一进展标志着三星在高性能存储芯片制造领域取得了关键性突破。
在HBM4产品的技术路线规划上，三星选择了更具前瞻性的工艺组合方案——采用1纳米级DRAM裸片与4纳米逻辑裸片相结合的设计架构。值得注意的是，目前业内其他主要代工厂在高性能HBM逻辑裸片领域仍普遍沿用5纳米制程工艺。
据内部消息显示，存储器部门的内部订单已占据三星晶圆代工4纳米制程节点约一半的产能。同时，该节点的整体良率也已突破80%，展现出制造工艺稳定性和技术成熟度的持续提升。
随着HBM产品对逻辑芯片工艺要求的不断提高，存储器业务对先进制程的依赖程度日益加深。在此背景下，存储器部门HBM市场份额的逐步回升，不仅有助于增强整体业务竞争力，还将为晶圆代工部门带来更多稳定的内部订单，进而改善其盈利表现。
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