2026年DRAM供应趋紧？美光预警减产加剧缺货潮
2025年10月20日，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana近日指出，预计到2026年，DRAM内存的供应紧张状况将进一步恶化。他强调，高带宽内存（HBM）在制造过程中消耗的晶圆量约为传统DRAM产品的三倍，而当前三大内存制造商已将大量产能转向HBM生产。与此同时，新建DRAM晶圆厂所需的时间和资金投入持续增加，短期内难以实现大规模产能扩张，这更加限制了供应的增长空间。
Sadana透露，美光计划于2026年小批量推出HBM4内存产品，并有望在HBM市场获得比2025年更高的份额。公司正在逐步实现在HBM领域的市场占有率与整体DRAM业务水平相当的战略目标。
此外，美光观察到从智能手机到汽车等多个领域，终端产品中DRAM搭载量呈现普遍上升趋势。特别是在汽车应用方面，公司正与客户密切合作，重新评估并可能推动更高定价策略。针对DDR4内存产品，为持续满足市场需求，美光决定适当延长其生产周期。
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