三星电子正持续加大对极紫外光刻技术的投入力度，计划采购新一批EUV光刻设备，以此强化在先进制程和存储芯片制造环节的竞争优势。据业内人士透露，本轮投资将覆盖多个核心生产部门。
在存储业务领域，三星将配置五套标准型EUV设备，用于建设独立的存储芯片生产线。这一重要举措意味着平泽存储产线将不再与晶圆代工部门共用EUV资源，从而有效提升生产效率和工艺专属性。
与此同时，晶圆代工部门将引进两套最新一代High NA EUV设备。这两套尖端设备分别计划于2025年底和2026年初交付，将全力支持2纳米制程的量产计划。其中一套设备将部署在华城生产基地，另一套则可能落户泰勒厂区，进一步扩展其全球制造网络。
在设备采购成本方面，每套标准EUV设备价格约为3000亿韩元，折合人民币约15亿元；而High NA EUV设备单价更为高昂，达到约5500亿韩元，折合人民币约28亿元。综合测算，此次设备引进总投资预计达2.6万亿韩元，充分展现了三星在尖端半导体制造领域的战略布局与长期投入决心。
作为下一代光刻工艺的核心技术，High NA EUV相比现有EUV技术在分辨率上提升1.7倍，可实现2.9倍的晶体管密度增长，同时光学精度提升40%。该技术对推动2纳米及以下节点芯片的研发与量产至关重要，也将支撑高密度、低功耗的先进存储产品开发，包括垂直通道晶体结构的DRAM以及第六代HBM4等前沿产品。
