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英伟达与台积电合作,首款美国本土制造Blackwell芯片亮相

英伟达与台积电合作,首款美国本土制造Blackwell芯片亮相

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2025-10-18

黄仁勋亲临台积电在美国亚利桑那州的工厂现场

人工智能的核心驱动力来自芯片

而芯片的生命源泉正是制造工厂

上周五,英伟达与台积电共同在亚利桑那州工厂展示了首片Blackwell架构晶圆

黄仁勋

这片晶圆将用于制造驱动人工智能革命的Blackwell芯片

黄仁勋在现场感慨道:“你们创造了令人惊叹的成果,但终将意识到,自己正在参与书写历史的篇章”

黄仁勋

事实上,今年四月黄仁勋就已投入5000亿美元押注美国本土AI芯片制造,推动“美国制造”战略落地

时隔大半年,最强芯片Blackwell终于实现了在美国本土的首次量产!

世界级AI芯片制造回归美国本土

引进台积电尖端制造能力被业界称为“神来之笔,更是重塑行业格局的重要里程碑”

创办台积电之初,我就怀揣着一个梦想——在美国建立晶圆制造厂

如今,这个梦想已然成真

在凤凰城的工厂园区内,生产线早已开始全速运转

而这座工厂的总投资额,也已攀升至惊人的1650亿美元

在人工智能领域,英伟达无疑是所有赢家中的领跑者

但即便是这位AI领域的王者,也毫不讳言地承认:“若没有台积电,这一切都不可能实现。”

我们能在指甲盖大小的芯片上,集成数百亿个晶体管。我们发明的GPU,彻底革新了计算机图形学与人工智能。

我们开创了加速计算的时代,而这一切,都得益于他们(台积电)为我们打造的芯片。

在庆祝仪式上,黄仁勋与台积电运营副总共同登台,在这片Blackwell晶圆上签名,以此纪念这一历史性突破

它标志着驱动全球AI基础设施的核心引擎正式开启美国本土制造时代

这片作为半导体基础材料的晶圆,将经过分层、光刻、蚀刻和切割等复杂工艺,最终成型为英伟达Blackwell架构提供的超高性能AI加速芯片

台积电亚利桑那州工厂将生产包括2纳米、3纳米和4纳米芯片以及A16芯片在内的先进技术,这些对AI、电信和高性能计算等应用至关重要

台积电

对美国而言,这个宏大项目的意义早已超越了科技本身——它更象征着制造业的强势回归

我们正在将就业机会带回美国,建设能够实现长期发展的芯片制造产业

这或许是半导体行业在美国迎来的最关键转折点

新一代芯片美国本土下线

Blackwell是英伟达全新一代AI超级芯片

Blackwell架构首次在2024年3月18日的GTC大会上,由黄仁勋在主题演讲中正式对外发布

英伟达新一代AI超级芯片

简单介绍Blackwell的基础架构

晶体管数量/规模:Blackwell架构GPU拥有约2080亿个晶体管

工艺/芯片制造:Blackwell芯片采用英伟达与台积电合作定制的4NP工艺

芯片互连:为了突破单片硅片面积限制,Blackwell GPU由两个子芯片组成,通过新型高带宽接口互联,连接速度可达10TB/秒。通过这种方式,两个子芯片在逻辑上可视为统一GPU,从而实现“全性能链接”

英伟达新一代AI超级芯片

在GTC 2025上,黄仁勋提到Blackwell目前已处于“全面量产/全投入”状态

这次终于实现首片晶圆在美国本土生产下线

接下来,Blackwell之后的产品系列,都有望在美国本土生产

Blackwell之后将推出Blackwell Ultra,作为该架构的进阶版本,用于应对更大模型推理、更高算力需求的AI训练与推理场景

Blackwell的下一代是由Rubin GPU与Vera CPU组成的“Vera Rubin”超级芯片平台

黄仁勋在2025年GTC上宣布,计划2026年下半年上市,目标是支撑下一阶段的大模型训练与推理

英伟达的芯片路线图显示,继Rubin之后将是Feynman架构,目标时间窗指向2028年

在此之前会于2027年先推出Rubin Ultra

黄仁勋介绍产品

参考资料:

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/

来源:https://36kr.com/p/3514429338426503
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