三星豪掷1.1万亿韩元布局先进光刻设备
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三星电子宣布将投入约1.1万亿韩元，用于购置两台业界顶尖的High-NA双极紫外光刻设备。这项战略投资旨在加速下一代半导体产品的量产进程。新设备将主要应用于实际生产线，标志着该公司在先进制程技术布局中迈出了关键一步。
据产业链知情人士透露，三星此前仅在京畿道园区配置了一台用于研发的High-NA EUV设备，而此次采购的设备将首次投入产品量产。公司计划在2025年内完成首台设备的安装调试，第二台设备预计将于2026年上半年交付使用。
此次引进的Twin Scan EXE:5200B是第二代数值孔径达0.55的High-NA极紫外光刻系统，作为TWINSCAN EXE:5000的升级型号，在对准精度与生产效率方面均有显著提升。该设备被视为制造未来高性能逻辑芯片与先进DRAM不可或缺的核心工具。
与前期NXE系列系统相比，EXE:5200B的成像对比度提升达40%，分辨能力达到8纳米水平。其单次曝光即可实现比现有TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路图案刻划，使晶体管密度最高可提升至原有的2.9倍。这一技术进步有助于简化大规模制造中的工艺流程，同时提升晶圆厂的实际产出效率与良率水平。
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