10月15日消息，据消息源@Jukanlosreve今日（10月15日）在X平台发布的推文透露，三星电子于2025年OCP全球峰会上宣布，已加速新一代HBM4E高带宽内存的研发进程，旨在满足英伟达未来Rubin架构AI GPU的严苛需求。
根据公布的信息，三星HBM4E的单引脚数据传输速率将达到至少13Gbps，结合2048个数据I/O引脚，能够实现高达每秒3.25TB的惊人内存带宽。这一性能指标不仅远超JEDEC为HBM4制定的8Gbps行业标准，更预示着AI计算能力即将迎来质的飞跃。相关截图如下：
此次性能目标的显著提升，主要源于其核心客户英伟达对更高带宽的迫切需求。为配合下一代“Vera Rubin”架构AI GPU的部署，英伟达已明确要求三星、SK海力士等内存制造商将HBM4的单引脚速度提升至10Gbps以上。
面对技术要求，三星率先响应并提出了13Gbps的更高目标，计划于2027年将这款高性能内存投入大规模量产。
与现有的HBM3E内存相比，三星HBM4E实现了全方位的性能突破。除了总带宽实现超过2.5倍的跨越式提升外，其能源效率也同步提高了两倍以上。
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