10月14日讯，掩模作为半导体光刻与图案化过程中的核心材料，承担着芯片电路设计母版的关键角色，其精度水平直接决定了先进制程能否成功落地。随着芯片工艺不断向更小节点推进，对掩模制造设备的精度和效率提出了前所未有的高标准。多重电子束掩模光刻技术凭借其高吞吐量与高精度特性，已成为先进制程中不可或缺的关键装备。

日本东芝旗下专注半导体设备研发的企业NuFlare于9月30日宣布，正式推出新一代多重电子束掩模光刻设备MBM-4000。该设备可支持1.4纳米（A14）工艺节点的掩模制造，相较于前代适用于2纳米节点的MBM-3000机型，新款设备在性能上实现显著提升，通过精确控制超过50万条电子束，实现了更精细的束流尺寸与更高的电流密度。

MBM-4000具备1.1纳米的位置控制精度和0.3纳米的尺寸控制精度，能够满足当前最先进半导体制造工艺对掩模精度的严苛需求，为未来高端芯片的研发与量产提供关键技术支撑。