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英特尔宣布18A制程取得重要突破
在10月9日举办的英特尔技术展望2025活动上,公司公布了最新一代Intel 18A逻辑制程工艺的关键进展:该工艺已完成全面开发验证阶段,并通过生产认证。目前俄勒冈州工厂已启动小批量试产,亚利桑那州晶圆厂的量产筹备工作有序进行,预计本季度将全面实现量产目标。
作为美国本土首个具备2纳米技术节点的制造工艺,Intel 18A展现出显著优势:相较前代Intel 3工艺,在同等能耗条件下性能提升可达15%,同时芯片晶体管密度提升约30%。这项创新工艺整合了两大核心技术:RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电方案,有效优化了芯片的能效表现与运算性能。
英特尔强调,Intel 18A工艺将成为未来三代以上计算平台的制程基础,不论是消费级设备还是数据中心级处理器产品线都将从中获益。
亚利桑那州新产线建设加速
公司同时披露了亚利桑那州钱德勒市Ocotillo科技园区的最新动态:第五座超大规模晶圆厂Fab 52正在稳步建设中。该工厂自2024年底动工以来进展顺利,未来将专注于Intel 18A工艺的逻辑芯片制造,进一步提升美国本土半导体产业的供应链安全性。
