转自公众号“微扬智源”
IEEE 国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting, IEDM）是半导体器件领域的全球顶级学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克盛会”。近日，2025 年 IEDM 大会入选论文名单正式公布，论文总数再创新高。本文将通过关键数据深度解读全球研究格局。
全球概览：论文数量再破纪录，高校科研机构贡献超七成
2025 年 IEDM 入选论文达到 298 篇，较去年（2024 年 274 篇）增长 8.7%，再次突破历史纪录，显示出全球半导体研究的持续创新能力。从机构类型来看，高校与研究机构是绝对主力，贡献了 75% 的论文，企业贡献约 25%。
全球 TOP10 ：最具影响力的入选机构盘点
全球顶尖机构的入选论文数量排名竞争异常激烈。按照第一作者所在机构统计，北京大学入选 21 篇，以绝对优势继续蝉联全球第一，彰显其在国际领域的顶尖地位。随后依次为比利时微电子中心（19 篇）、佐治亚理工学院（13 篇）、韩国科学技术院（12 篇）、三星电子（12 篇）、台积电（9 篇）、新加坡国立大学（9 篇）、IBM 研究院（8 篇）、斯坦福大学（8 篇）、中国科学院微电子研究所（8 篇）。
中美对比：入选论文数量解析
IEDM 2025 中国入选论文共 101 篇，其中中国内地 67 篇、中国台湾 27 篇、中国香港 7 篇。
按照第一作者所在机构统计，中国内地的 67 篇论文来自 20 个机构。北京大学 21 篇（较去年增加 6 篇）、中国科学院微电子研究所 8 篇（较去年增加 2 篇）、清华大学 6 篇、南京大学（4 篇）、中国科学技术大学（4 篇）、东南大学（3 篇）、上海交通大学（3 篇）、西安电子科技大学（3 篇）、北京航空航天大学（2 篇）、山东大学（2 篇）、长鑫存储（2 篇）、北京理工大学（1 篇）、复旦大学（1 篇）、杭州领挚科技有限公司（1 篇）、华中科技大学（1 篇）、南方科技大学（1 篇）、苏州能讯高能半导体有限公司（1 篇）、西湖大学（1 篇）、浙江大学（1 篇）和中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1 篇）。其中，长鑫存储（CXMT）、杭州领挚科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司（与小米通讯合作）集中展示了在存储、生命科学与射频等领域的最新突破，展现了中国半导体企业的创新实力。
长鑫存储在 3D FeRAM 与新型多层堆叠 DRAM 双突破。长鑫存储首次实现单片集成的堆叠式铁电存储（3D FeRAM），提出两层水平堆叠的 1T1C 三维架构，配备双栅极多晶硅选择晶体管，展现出优异的性能与耐久性，为低功耗非易失性存储奠定基础（12-1 | First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors）。此外，长鑫存储还展示了全球首个 BEOL 集成的多层 DRAM 架构，基于 IGZO 沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能 DRAM 的发展开辟新路径（29-3 | High Performance and Robust Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM with Multi-tiered Architecture）。
IEDM 2025 美国入选论文共 74 篇，按照第一作者所在机构统计，74 篇论文来自 28 个机构。排在前 5 的分别是佐治亚理工学院（13 篇）、IBM 研究院（8 篇）、斯坦福大学（8 篇）、普渡大学（6 篇）、圣母大学（4 篇）。
机构画像：中美科研力量的类型分布对照
按照第一作者所在机构类型统计，在中国内地的入选论文贡献中，高校占据了绝对主导（约 81%），而企业占比相对较低。这反映出国内强大的学术研发能力，同时也暗示了从“学术论文”到“产业成果”的转化路径仍有提升空间。反观美国，其企业界的贡献占比（约 33%）显著更高。IBM 研究院、英特尔、高通、美光科技、应用材料等巨头在 IEDM 上比较活跃，积极展示其最新的技术突破。这不仅体现了其深厚的技术储备，更是一种将前沿研究成果与市场领导力绑定的战略展示。
IEDM 2025 会议将于 2025 年 12 月 6 日至 10 日在美国旧金山举行。
