10月3日讯，在9月25日第四届GMIF2025创新峰会上，联芸科技总经理李国阳展示了这家国内领先的NAND存储主控企业在多个产品线的创新成果。
即将上市的MAP1606主控芯片实现了技术突破，支持3600MT/s的高速闪存接口，随机读写性能提升至170万IOPS和150万IOPS，同时经过架构优化后功耗降低了四分之一以上。
MAP1802作为全球首个DRAM-less架构的PCIe 5.0×4四通道主控芯片将在2025年底全面量产。此外，针对AI终端设备的高负载场景，联芸已启动新一代MAP1808主控芯片的研发工作。
目前UFS3.1主控芯片已完成量产准备，首款采用该芯片的智能手机预计2026年面市。同时UFS2.2和UFS4.1主控研发进展顺利，单芯片移动固态硬盘解决方案也即将进入测试评估阶段。
李国阳强调，随着终端AI技术的突飞猛进，存储系统正在经历革命性的转变，从传统的"被动存储"角色向"主动计算"能力演进。
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