Solidigm明年商用250层QLC NAND存储技术
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10月2日，据韩国媒体消息，SK海力士旗下NAND闪存企业Solidigm正加速推进下一代NAND闪存技术的研发，计划于明年实现产品商业化。目前，Solidigm是主流NAND制造商中唯一采用浮动栅极（FG）架构的企业，而非行业普遍使用的电荷捕获（CTF）结构。其当前最先进的产品为192层QLC NAND闪存。
业界普遍认为，FG架构在堆叠层数的提升上存在物理限制，难以突破200层以上。然而，Solidigm已成功攻克关键技术瓶颈，其下一代产品将实现约200层中段堆叠，相当于最终达到约250层的水平，并继续采用QLC作为存储单元设计。
随着AI应用对SSD需求不断增长，QLC因其高密度和成本优势变得愈发重要。Solidigm坚持FG技术路线，不仅有助于提供具有差异化特性的NAND产品，还能避免转向CTF架构所带来的大规模设备投资与产线调整成本，从而在竞争激烈的存储市场中保持技术独特性与运营效率。
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