高通放弃三星2纳米工艺，重新规划骁龙芯片生产
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最新消息显示，高通已终止与三星在2纳米工艺骁龙8 Elite Gen5芯片上的合作计划，目前尚未有任何手机厂商采用该版本芯片进行产品开发。这款芯片（型号SM8850）于今年9月正式发布，采用台积电3纳米制程工艺，现已被多家主流品牌旗舰机型选用。
据悉，高通曾计划将部分骁龙8 Elite Gen5芯片交由三星代工，采用其SF2工艺（宣称达到2纳米级别），在整体模块报价上比台积电3纳米方案更具价格优势。但由于三星过往代工质量饱受质疑，即便报价更为优惠，各厂商仍对其代工版本持谨慎态度。
回顾客服记录显示，三星代工的骁龙8 Gen1和骁龙888等旗舰芯片曾因能耗管理问题遭遇诸多反馈，其中包括发热控制不理想等。专业测试数据表明，在相同负载下，使用台积电5纳米工艺的麒麟9000和苹果A14芯片的平均功耗分别为2.9瓦和2.4瓦，而三星5纳米工艺的骁龙888功耗则高达4.0瓦。
受此影响，从骁龙8+ Gen1开始，高通将全部订单转投台积电，包括后续的骁龙8 Gen2、Gen3以及最新发布的Elite系列芯片。转换代工厂后，芯片在性能和能耗方面表现更为稳定，市场反馈整体向好。
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