英飞凌携手罗姆深化SiC功率器件封装合作
9月28日讯，全球功率半导体领域两大巨头——德国英飞凌(Infineon)与日本罗姆(ROHM)日前达成重要合作。9月25日，双方正式签署备忘录，宣布就碳化硅(SiC)功率器件封装领域建立战略合作伙伴关系。
根据合作协议内容，两家企业将互为对方SiC功率器件的第二供应商，为客户提供双重供货保障。这项举措将显著提升客户的采购弹性——未来客户可以根据实际需求，在英飞凌与罗姆的同规格产品间自由切换。
技术层面来看，罗姆将采用英飞凌成熟的2.3mm标准高度SiC顶部散热封装技术；同时，英飞凌也将引入罗姆创新的"半桥结构SiC模块DOT-247"方案，并开发与之相匹配的新型封装。
值得关注的是，双方的合作愿景远不止于此。根据发展规划，英飞凌与罗姆的合作范围将进一步拓展，未来将覆盖包括硅基(Si)、宽禁带半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等多元功率技术的各类封装解决方案。
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