9月26日美股交易时段,台积电美国存托凭证(ADR)强势领涨,盘中最高涨幅逼近5%,股价刷新历史纪录。这一波涨势带动了整个半导体板块的活跃表现,英特尔股价飙升逾4%,美光科技、安森美半导体等芯片股涨幅均突破2%。
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业内专家分析指出,台积电此番股价异动主要受到其先进制程芯片调价预期的推动。市场传闻显示,台积电拟对3纳米及更先进的2纳米制程工艺实施价格调整。有知情人士透露,2纳米制程的报价可能较3纳米高出至少50%。同时,采用台积电3纳米工艺的高通骁龙8 Elite Gen5芯片、联发科天玑9500芯片等产品,面临16%至24%不等的成本上涨压力。
这波芯片涨价并非台积电的单独行为。早些时候,三星、美光科技和闪迪等存储芯片巨头均已宣布价格调整计划。其中三星显著提高了DRAM和NAND闪存产品报价,美光科技的存储芯片产品线价格也有不同程度上调。
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