
近年来,生成式人工智能的快速发展显著推高了对高性能算力芯片的需求,进而带动了对高带宽存储器(HBM)的强劲需求。作为关键配套器件,HBM为存储芯片企业带来了新的增长契机。然而,在这一轮技术机遇中,韩国企业三星电子并未处于领先地位。数据显示,今年第二季度,该公司在HBM市场的份额仅为17%,不仅远低于竞争对手SK海力士的62%,也略低于美光的21%。
尽管目前市场份额相对落后,研究机构预测,随着三星电子的HBM3E产品陆续通过主要客户认证,以及下一代HBM4产品自明年起启动出货,其市场地位有望逐步提升。预计到明年,三星在全球HBM市场的份额将突破30%。
高带宽存储器采用3D堆叠工艺,属于高性能DRAM的一种,通过将多个存储芯片垂直互联,大幅提升数据传输速率。该技术与中央处理器和图形处理器协同运行,可显著增强服务器在人工智能训练和计算任务中的表现。由于性能优势明显,HBM的单价也远高于普通DRAM,据估计至少达到后者的三倍以上。
