瑞萨完成3nm车芯流片，Arm印度设立2nm设计中心
9月23日，印度《经济时报》发布独家报道称，日本半导体巨头瑞萨电子(Renesas)印度负责人透露，该公司由班加罗尔和诺伊达两地技术团队联合研发的3纳米车规级芯片已完成流片并交付客户测试。
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值得关注的是，除了巩固在芯片设计领域的影响力外，瑞萨还计划深化印度本土制造布局——该企业将成为与CG Power合资建立的印度OSAT封测工厂的核心客户。
与此同时，半导体IP巨头Arm于当地时间16日在印度班加罗尔举行了新设计中心的开幕典礼。印度电子与信息技术部部长Ashwini Vaishna在致辞中强调，该中心将聚焦下一代芯片设计技术研发，其中就包括即将投入量产的2纳米先进制程工艺。
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