2025年9月21日，行业数据显示，继美光宣布DDR4与DDR5内存芯片价格计划上涨20%-30%后，三星电子也传出将在第四季度调整存储产品报价。分析人士预计，DRAM产品整体涨幅或将达到15%-30%。

来自供应链的可靠消息称，三星已正式告知核心客户，将于第四季度对移动端DRAM芯片实施全面调价。其中LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X等主流型号涨幅预计不低于15%，部分定制规格的价格波动可能突破30%。同时，eMMC与UFS规格的NAND闪存芯片也将迎来5%-10%的价格上调。

伴随着主流厂商将DDR4产能逐步转向新一代产品，其生产线持续收缩已成为不争的事实。行业预测显示，到2026年DDR4的总产能规模可能仅相当于2025年的五分之一，这将进一步加剧该品类的供应紧张态势。

市场观察家指出，当前存储芯片价格上涨的主要动力源于人工智能应用的爆发式增长。随着AI技术重心从模型训练逐步转向终端推理和边缘计算部署，市场对高性能DRAM和大容量NAND Flash的需求呈现几何级增长，从而导致供给缺口持续扩大。

值得注意的是，全球三大存储芯片巨头三星、SK海力士和美光正在加速推进产能升级，将主要晶圆资源投入DDR5和高带宽存储器（HBM）领域。这种产业转型直接加速了DDR4产线的淘汰进程，然而消费电子、工业控制等领域对DDR4的需求依然保持强劲，这种结构性供需矛盾推动价格持续攀升。

在NAND市场方面，数据中心基础设施升级和边缘AI设备的普及，使得大容量SSD及嵌入式存储产品需求旺盛。据市场反馈，部分高端HDD产品的交货周期已延长至12个月以上，这一现象充分反映出当前存储产业链面临的供应压力。