三星QLC闪存曝质量问题,继内存门后再陷品质风波
9月18日讯 作为曾经长期占据市场主导地位的内存巨头,三星电子近期在存储芯片领域频频遭遇挑战。这家韩国企业在DRAM内存和NAN闪存领域的传统优势正在被竞争者蚕食。
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在内存市场,三星自DDR5时代起就面临来自SK海力士的强势竞争。尤其在热门的HBM内存领域,技术落后的三星连续两个季度被对手超越,拱手让出保持数十年的市场领导地位。
闪存技术竞赛同样不容乐观。当竞争对手纷纷突破300层堆叠技术门槛时,三星却陷入了技术瓶颈。其第九代V9闪存在去年4月量产初期仅实现了TLC工艺的280层堆叠,1Tb核心容量的产品问世后,QLC版本的研发却遇到重大技术障碍。
据业内人士透露,原定于2024年9月量产的V9 QLC闪存存在严重质量问题,在性能和延迟方面表现不佳,导致全面量产计划被迫推迟至2026年上半年。这一变故使得三星在QLC赛道上的产品布局出现断层,旗舰QLC产品仍停留在V7世代,V8代甚至未推出QLC型号。
当前AI浪潮催生了市场对QLC闪存的旺盛需求,其更高的存储密度和更低的单位成本优势尤为突出。三星在这个关键时点的技术滞后,无疑将对其市场份额和营收表现造成不利影响。
值得注意的是,SK海力士在8月份宣布成功量产321层QLC闪存,不仅创下行业新纪录,更实现了接口速度翻倍,写入性能提升56%,读取性能提高18%的突破性进展。

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