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三星V9 QLC闪存商用推迟,性能缺陷延期至2026年解决

三星V9 QLC闪存商用推迟,性能缺陷延期至2026年解决

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2025-09-18

9月17日讯,韩国科技媒体ZDNet Korea昨日(9月16日)发布深度报道,披露三星电子在第九代(V9)QLC大容量NAND闪存商用化进程中遭遇技术瓶颈,原定的大规模上市计划被迫延后至2026年第一季度。

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三星V9 NAND生产线

报道显示,三星已于2024年4月率先量产V9 NAND闪存,初始版本采用TLC(三层单元)架构,单颗芯片容量突破1Tb。后续在2024年9月,三星开始着手更高密度的V9 QLC(四层单元)闪存量产工作。

QLC NAND晶圆特写

但行业内部人士透露,首批V9 QLC产品存在固有设计缺陷,严重影响产品性能表现,迫使三星不得不推迟上市计划。虽然三星依旧是全球NAND市场的领军企业,但在QLC技术领域已经被竞争对手拉开差距。据分析,其最新QLC产品仍停留在V7代技术,甚至V8版本的QLC型号至今仍未面世。

与三星形成鲜明对比的是,SK海力士于8月底高调宣布完成321层2Tb QLC NAND闪存的研发和量产工作。这款突破性产品的数据传输速率较前代提升100%,写入性能增幅达56%,读取速度提升18%,能耗效率优化23%,特别适合对能效极为敏感的AI数据中心应用场景。

NAND技术路线图

值得关注的是,三星在今年2月曾展示过400层以上的V10级别1Tb TLC NAND,但尚未公布具体量产时间表。日本存储巨头铠侠也在2025年初推出了332层的V10级NAND闪存样品,但目前同样未投入量产。

来源:https://www.ithome.com/0/883/573.htm
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