三星V9 QLC闪存商用推迟，性能缺陷延期至2026年解决

9月17日讯，韩国科技媒体ZDNet Korea昨日（9月16日）发布深度报道，披露三星电子在第九代（V9）QLC大容量NAND闪存商用化进程中遭遇技术瓶颈，原定的大规模上市计划被迫延后至2026年第一季度。

报道显示，三星已于2024年4月率先量产V9 NAND闪存，初始版本采用TLC（三层单元）架构，单颗芯片容量突破1Tb。后续在2024年9月，三星开始着手更高密度的V9 QLC（四层单元）闪存量产工作。

但行业内部人士透露，首批V9 QLC产品存在固有设计缺陷，严重影响产品性能表现，迫使三星不得不推迟上市计划。虽然三星依旧是全球NAND市场的领军企业，但在QLC技术领域已经被竞争对手拉开差距。据分析，其最新QLC产品仍停留在V7代技术，甚至V8版本的QLC型号至今仍未面世。

与三星形成鲜明对比的是，SK海力士于8月底高调宣布完成321层2Tb QLC NAND闪存的研发和量产工作。这款突破性产品的数据传输速率较前代提升100%，写入性能增幅达56%，读取速度提升18%，能耗效率优化23%，特别适合对能效极为敏感的AI数据中心应用场景。

值得关注的是，三星在今年2月曾展示过400层以上的V10级别1Tb TLC NAND，但尚未公布具体量产时间表。日本存储巨头铠侠也在2025年初推出了332层的V10级NAND闪存样品，但目前同样未投入量产。